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Ansas stellt neue Generation hocheffizienter Schottky-Gleichrichterdiode SME260UC vor
2026-01-15Ansas

Kürzlich gab Ansas die Einführung seiner neuen Hochleistungs-Schottky-Gleichrichterdiode SME260UC bekannt. Dieses Produkt vereint fortschrittliches Halbleiterdesign und Herstellungsprozesse mit extrem niedrigem Durchlassverlust, exzellenten Schalteigenschaften und kompakter Bauform. Es zielt darauf ab, effiziente und zuverlässige Lösungen für Stromversorgungsmanagement und Gleichrichtungsanwendungen in der Unterhaltungselektronik, industriellen Netzteilen und Kommunikationsgeräten bereitzustellen.
Als Antwort auf die steigenden Marktanforderungen an Energieeffizienz, Leistungsdichte und Betriebsstabilität elektronischer Geräte wurde der SME260UC entwickelt. Sein Kerndesign konzentriert sich auf die Reduzierung des Systemenergieverbrauchs, die Steigerung der Wirkungsgrads der Stromwandlung und die Anpassung an platzsparende Leiterplattenlayouts, um Kunden dabei zu helfen, eine optimale Balance zwischen Leistung und Größe zu erreichen.

Kernvorteile des Produkts:
Extrem niedriger Durchlassspannungsabfall: Verringert deutlich den Energieverlust im Leitungszustand, verbessert die Gesamtsystemeffizienz und ist besonders geeignet für batteriebetriebene und hochstromfähige Anwendungen.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung: Zeichnet sich durch hervorragende Rückwiederherstellungseigenschaften aus, unterstützt Hochfrequenzbetrieb, reduziert effektiv Schaltverluste und erfüllt die Anforderungen moderner hocheffizienter DC-DC-Wandler.
Hervorragende Wärmemanagement-Fähigkeit: Unterstützt einen breiten Betriebssperrschichttemperaturbereich, gewährleistet stabilen Betrieb in Hochtemperaturumgebungen und verbessert die langfristige Systemzuverlässigkeit.
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse: Verwendet ein fortschrittliches Kleinbauform-Gehäuse, spart effektiv Leiterplattenplatz, ermöglicht hochdichte Installation und eignet sich für platzbeschränkte tragbare und miniaturisierte Geräte.
Optimierte Hochfrequenzeigenschaften: Niedriges parasitäres Parameterdesign unterstützt die Signalintegrität in Hochfrequenzschaltungen und eignet sich für Kommunikations- und HF-Stromversorgungsanwendungen.
 
Hauptanwendungsbereiche:
Unterhaltungselektronik: Weit verbreitet in USB-PD-Schnellladeadaptern, Laptop-Netzteilen sowie verschiedenen Lade- und Management-Schaltungen für tragbare Geräte.
Industrielle Netzteile: Geeignet für Niederspannungs-DC-DC-Industriestrommodule und die Stromversorgungseingangsstufen von speicherprogrammierbaren Steuerungen (SPS), wo hohe Schaltgeschwindigkeiten Energieverluste bei der Hochfrequenzstromwandlung reduzieren und Wirkungsgrad sowie Zuverlässigkeit verbessern.
Kommunikationsinfrastruktur: Einsatz in Hochfrequenz- und hocheffizienten Gleichrichtungsstufen wie 5G-Basisstationen, optischen Netzwerkgeräten und Serverstromversorgungen.
Automotive-Elektronik: Verwendung in LED-Scheinwerfertreiberschaltungen und Gleichrichtermodulen für Nebelscheinwerfer, bietet effiziente Stromregelung und widerstandsfähig gegen Spannungsschwankungen in Fahrzeugelektriksystemen.
Tragbare und IoT-Geräte: Verlängert die Akkulaufzeit von Bluetooth-Audiogeräten, Wearables, Smart-Home-Systemen und anderen batteriebetriebenen Geräten.
 
Der SME260UC spiegelt unser Engagement für kontinuierliche Innovation im Bereich der Leistungshalbleiter wider. Wir sind bestrebt, Kunden Produkte anzubieten, die nicht nur leistungsstark, sondern auch sorgfältig hinsichtlich Zuverlässigkeit und Anwendbarkeit optimiert sind, um sie bei der Bewältigung von Herausforderungen im effizienten, kompakten und hochzuverlässigen Power-Design zu unterstützen.
Der SME260UC ist jetzt für Kundenbewertungen und Großaufträge verfügbar und wird in Band- und Rollenverpackung für die automatisierte Bestückung geliefert.

 

 

Über Ansas

Die Suzhou Ansas Semiconductor Co., LTD ist auf die Entwicklung und Herstellung von diskreten Halbleiterbauelementen spezialisiert – darunter leistungsstarke Gleichrichter, Schnellrücklaufdioden (FRD), Schutzdioden sowie Silizium- und Siliziumkarbid-Schottky-Dioden.
Unser Unternehmen ist ISO-zertifiziert und produziert nach den Qualitätsstandards der IATF 16949.
Getreu unserem Leitsatz „Advancing Excellence in Power Semiconductors“ liefern wir hochwertige und innovative Produkte für die Automobilindustrie, industrielle Anwendungen, Medizintechnik und den Consumer-Bereich.

Dank unserer technischen Expertise und hohen Flexibilität bieten wir maßgeschneiderte Lösungen und den bestmöglichen Support für die individuellen Anforderungen unserer Kunden.

Erfahren Sie mehr über Ansas unter: www.ansas-semi.com.