Ansas kündigte heute die offizielle Markteinführung seiner neuen 650V-Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode SC02650A an. Das Produkt verwendet das branchenübliche SMA-Gehäuse und vereint hohe Effizienz, geringe Verluste und hohe Zuverlässigkeit. Es bietet eine neue Hochleistungslösung für Anwendungen wie Energiespeicher, elektrische Antriebe, Industriesteuerungen und Kommunikationsnetzteile.
Die SC02650A basiert auf Siliziumkarbid-Material und zeichnet sich durch eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit aus. Selbst unter extremen Betriebsbedingungen von 175°C bleibt ihr Sperrstrom stabil im Mikroampere-Bereich, was den strengen Zuverlässigkeitsanforderungen industrieller Anwendungen entspricht. Ihre Flussspannung ist mit nur 1,20V sehr gering, was die Leitungsverluste deutlich reduziert und den Wirkungsgrad der Energieumwandlung verbessert.
Hinsichtlich der Schalteigenschaften zeigt die SC02650A die typischen Vorteile von SiC-Bauelementen: eine extrem geringe kapazitive Ladung und ein vernachlässigbarer Rückwärtserholstrom (Reverse Recovery Current), die die dynamischen Verluste beim Hochfrequenzschalten erheblich reduzieren. Dies macht sie besonders geeignet für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen wie Server-Netzteile, Kommunikationsnetzteile und Onboard-Ladegeräte (OBC) für Elektrofahrzeuge, was zur Steigerung des Gesamtsystemwirkungsgrads beiträgt.
Die elektrischen Eigenschaften der SC02650A sind wie folgt:
• 650V Sperrspannung
• Geringe Flussspannung, reduziert Leitungsverluste
• Äußerst geringe kapazitive Ladung (QC), ermöglicht höhere Schaltfrequenzen
• Nahezu keine Rückwärtserholzeit, reduziert Schaltverluste erheblich
• Hervorragende Hochtemperatureigenschaften, geeignet für raue Umgebungsbedingungen
Dank dieser Vorteile kann die SC02650A die Systemeffizienz effektiv steigern, den Aufwand für das Wärmemanagement verringern und in Hochfrequenzanwendungen eine stabile und zuverlässige Leistung aufrechterhalten.
Das Produkt verwendet das klassische SMA-Gehäuse, das eine gute mechanische Festigkeit und Zyklusbeständigkeit bei Temperaturwechseln bietet. Bei Beibehaltung der exzellenten elektrischen Eigenschaften ermöglicht es volle Kompatibilität mit bestehenden Lieferketten, Produktionsprozessen und Schaltungslayouts. Es bietet somit eine "nahtlose Upgrade"-Lösung für Leistungselektroniksysteme, die auf hohe Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegt sind.
Die SC02650A bietet folgende Vorteile:
• Hohe Vielseitigkeit: Weitgehende Kompatibilität mit bestehenden Bondpad-Layouts der Branche
• Geringe Layoutkosten: Keine zusätzliche Anpassung an neue Gehäuse erforderlich; kann direkt auf bestehenden Leiterplatten eingesetzt werden
• Ausgereifte Lieferkette: Standardisierte Bauteilabmessungen und Prozesse erleichtern die Serienfertigung von Systemen
• Geeignet für kompakte Designs: Ermöglicht effiziente Wärmeableitung und hohe Zuverlässigkeit auf begrenztem Raum
Die SC02650A eignet sich für folgende Anwendungsbereiche:
• Photovoltaik- und Speicherwechselrichter
• OBC, DC-DC-Wandler
• Industrie-Servoantriebe, Motorsteuerungen
• Hochfrequente Kommunikationsnetzteile und Server-Netzteile
Ihre Hochtemperaturstabilität, die Hochfrequenz- und Niedrigverlust-Eigenschaften sowie das robuste Gehäusedesign bieten eine solide Grundlage für die Miniaturisierung, hohe Effizienz und zuverlässigen Betrieb von Systemen.
Ansas erklärte, dass die Einführung der SC02650A einen wichtigen Fortschritt im SiC-Leistungsbauelement-Portfolio des Unternehmens darstellt. Das Unternehmen wird seine SiC-Produktlinie weiter ausbauen, einschließlich Bauelementen mit weiteren Spannungsklassen, Gehäusetypen und höherer Leistung, um global wettbewerbsfähige, hocheffiziente Leistungslösungen für Kunden bereitzustellen.
Über Ansas
Die Suzhou Ansas Semiconductor Co., LTD ist auf die Entwicklung und Herstellung von diskreten Halbleiterbauelementen spezialisiert – darunter leistungsstarke Gleichrichter, Schnellrücklaufdioden (FRD), Schutzdioden sowie Silizium- und Siliziumkarbid-Schottky-Dioden.
Unser Unternehmen ist ISO-zertifiziert und produziert nach den Qualitätsstandards der IATF 16949.
Getreu unserem Leitsatz „Advancing Excellence in Power Semiconductors“ liefern wir hochwertige und innovative Produkte für die Automobilindustrie, industrielle Anwendungen, Medizintechnik und den Consumer-Bereich.
Dank unserer technischen Expertise und hohen Flexibilität bieten wir maßgeschneiderte Lösungen und den bestmöglichen Support für die individuellen Anforderungen unserer Kunden.
Erfahren Sie mehr über Ansas unter: www.ansas-semi.com.