Ansas hat heute offiziell sein neues Produkt für die Automobilelektronik, die Schottky-Diode SR8H200GE-Q, vorgestellt. Mit fortschrittlicher TO-277G-Gehäusetechnik adressiert sie den Bedarf an hocheffizientem Powermanagement in Elektrofahrzeugen, Bordladesystemen und im Bereich der neuen Energien und bietet eine zuverlässige Halbleiterlösung für anspruchsvolle Einsatzszenarien.

Mit fortschreitender Elektrifizierung und Elektronikintegration im Automobilbereich sind effiziente und stabile Leistungsbauelemente zu einem entscheidenden Bedarf geworden. Die SR8H200GE-Q nutzt eine optimierte Schottky-Barrierentechnologie und erreicht eine ausgewogene Balance zwischen den sich typischerweise widersprechenden Eigenschaften niedriger VF (Durchlassspannung) und niedrigem IR (Sperrstrom). Ihr Nennspannungsdesign von 200V bietet hohe Transientenfestigkeit, erfüllt die Anforderungen rauer automotive Umgebungsbedingungen und entspricht vollständig dem Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101.

Das neue Produkt verwendet das TO-277G-Gehäuse. Dieses kompakte Gehäuse bietet hervorragende Wärmeableitung, eignet sich für platzoptimierte Leistungsmodul-Designs und stellt eine hochintegrierte Lösung für Anwendungen wie Bordladegeräte (OBC), DC-DC-Wandler, Motoransteuerungen und Batteriemanagementsysteme (BMS) bereit.