如今，电子行业正朝着更紧凑、更强大的系统过渡，Ansas半导体（“Ansas”）宣布推出其最新的高性能MOSFET ”AG470N100LT” TOLT包装, 旨在满足电子市场快速增长的需求。
新型MOSFET采用SGT（Split Gate Trench）芯片技术，通过降低导通电阻和提高开关性能，实现了高效率、高电压容限和出色的热管理，使其适用于各种高频和高压应用
TOLT封装提供了严格的模具体公差，引脚采用负间距实现，以支持优化的热堆叠，这对良好的热传导至关重要。TOLT封装的暴露PAD具有特殊的表面处理，进一步支持增强的热性能。
关于安萨斯（Ansas）
苏州安萨斯半导体有限公司专注于高性能半导体分立器件的研发与制造，产品涵盖大功率整流器、快恢复二极管、抑制二极管、硅及碳化硅肖特基二极管等核心器件。公司已通过 ISO 认证，并严格按照 IATF 16949 质量管理体系标准进行生产。
我们始终秉持“推动功率半导体卓越发展”的理念，持续为汽车、工业、医疗及消费电子等领域提供高品质、创新型产品解决方案。
凭借深厚的技术实力与高度的灵活响应能力，安萨斯致力于为客户的个性化需求提供最优支持。
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