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安萨斯发SC02650A 650V/2A SiC SBD——SMA封装助力高效、高可靠功率设计
2026-02-05Ansas

        安萨斯(Ansas)今日宣布正式推出全新 SC02650A 650V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。该产品采用行业通用的SMA封装,兼具高效率、低损耗和高可靠性特点,为储能、电驱动、工业控制及通信电源等应用提供全新的高性能解决方案。

        SC02650A基于碳化硅材料,具备优异的耐高温特性,即使在175℃极端工作环境下,反向电流仍可稳定维持在微安级别,满足工业级应用对可靠性的严苛要求。其正向压降低至1.20V,显著降低了导通损耗,提升了能源转换效率。
        在开关特性方面,SC02650A表现出碳化硅器件的典型优势:极低的电容电荷与几乎可忽略的反向恢复电流,大幅降低高频开关过程中的动态损耗。这一特性使其特别适用于高开关频率应用场景,如服务器电源、通信电源及电动汽车车载充电器等,助力系统整体能效提升。
        SC02650A 电气特性如下:
  • 650V反向耐压
  • 低正向压降,降低导通损耗
  • 极低电容电荷(QC),支持更高的开关频率
  • 几乎零反向恢复时间,显著降低开关损耗
  • 优异的高温工作特性,适用于严苛工作环境
凭借上述优势,SC02650A 可有效提升系统能效、减少热设计压力,并在高频应用中保持稳定可靠性能。
 
        该产品采用经典SMA封装,该封装具备良好的机械强度与热循环耐久性,在延续卓越电气性能的同时,实现了与现有供应链、生产工艺及电路布局的全面兼容,为追求高效率、高可靠性的电力电子系统提供了“无缝升级”的解决方案。
        SC02650A 具有如下特点
  • 通用性强:广泛兼容行业已有焊盘设计
  • 布局成本低:无需额外适配新封装,可直接应用于现有 PCB
  • 供应链成熟:器件尺寸与工艺标准化,有利于系统量产
  • 适合紧凑设计:在有限空间内实现高效散热与高可靠性
 
        SC02650A 适用于以下领域:
  • 光伏及储能逆变器
  • OBC、DC-DC 转换器
  • 工业伺服驱动、电机控制器
  • 高频通信电源与服务器电源
其高温稳定性、高频低损耗特性以及坚固的封装设计,为系统的小型化、高效化与高可靠运行提供了有力支持。
 
        安萨斯表示,SC02650A 的推出是公司在碳化硅功率器件领域的重要进展。未来公司将继续扩展 SiC 产品线,包括更多电压等级、封装类型与更高性能的系列器件,为全球客户提供具有竞争力的高效功率解决方案。

 

 

关于安萨斯(Ansas)

苏州安萨斯半导体有限公司专注于高性能半导体分立器件的研发与制造,产品涵盖大功率整流器、快恢复二极管、抑制二极管、硅及碳化硅肖特基二极管等核心器件。公司已通过 ISO 认证,并严格按照 IATF 16949 质量管理体系标准进行生产。
我们始终秉持“推动功率半导体卓越发展”的理念,持续为汽车、工业、医疗及消费电子等领域提供高品质、创新型产品解决方案。

凭借深厚的技术实力与高度的灵活响应能力,安萨斯致力于为客户的个性化需求提供最优支持。

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