安萨斯今日正式发布全新车规级肖特基二极管产品SR8H200GE-Q，采用先进的TO-277G封装，面向电动汽车、车载充电系统及新能源领域的高效电源管理需求，为高可靠性应用场景提供核心半导体解决方案。

        随着汽车电子化与电气化进程加速，高效、稳定的功率器件成为行业刚需。SR8H200GE-Q采用优化的肖特基势垒技术，在低V_F（正向电压）和低I_R（反向电流）这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡。其200V的高耐压设计，兼顾高瞬态抗冲击能力，满足严苛的车载环境要求，并全面符合AEC-Q101车规可靠性标准。

        新产品采用TO-277G封装形式，该封装结构紧凑，散热性能优异，适配高密度电源模块设计，为车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动及电池管理系统（BMS）等应用提供高功率密度解决方案。